1、尽管GTO与SCR的触发导通原理相同，但二者的关断原理及关断方式截然不同。这是由于普通晶闸管在导通之后即处于深度饱和状态，而GTO在导通后只能达到临界饱和，所以GTO栅极上加负向触发信号即可关断。
2、晶闸管属于电流型器件，而场效应管IGBT才是电压型器件。晶闸管一般是指可控硅。可控硅分单向可控硅和双向可控硅两种。双向可控硅也叫三端双向可控硅，简称TRIAC。双向可控硅在结构上相当于两个单向可控硅反向连接，这种可控硅具有双向导通功能。其通断状态由控制极G决定。
3、晶闸管的通常功率较大，IGBT的通常比较小巧，优点各不相同。后者具有代替前者的趋势，并且性能更优越。
4、你可以把IGBT理解为晶闸管的升级产品，它们的功能相似，即都是用来控制电流高频率地开闭。但晶闸管是半控元件（只能控制其何时导通，不能控制其何时截止），而IGBT是全控元件（导通和截止都能控制）。
1、在全球科技变革的浪潮中，功率半导体器件，特别是IGBT，其就业前景正展现出前所未有的活力与潜力。功率半导体领域主要分为分立器件、集成电路和模块三大类，其中IGBT凭借其独特的BJT和MOSFET结合，主导着高电压应用，如新能源汽车和变频器市场的快速发展。
2、总结来说，中国GaN功率半导体器件的发展正处于一个充满机遇的转折点。未来几年，政策支持、技术创新与市场接纳将共同塑造行业的未来。参与者们需要密切关注市场动态，抓住技术革命带来的机遇，以实现可持续增长。
3、在光伏领域，中国逆变器厂商实力强大，国产IGBT的导入需求强烈。随着光伏补贴政策的变化和市场对成本控制的需求，国产功率半导体凭借性价比优势有望逐渐替代进口。例如，士兰微、斯达半导、新洁能和宏微科技等企业凭借技术研发和产能扩张，已在国内市场取得进展，并积极拓展到光伏逆变器领域。
4、MOSFET产品优势突出，需求量大功率半导体分立器件可以进一步分为三类：功率二极管、功率晶体管、功率晶闸管，其中比特、GTR、MOSFET、IGBT都属于功率晶体管范畴，而SCR、g to、IGCT属于功率晶闸管范畴。在功率晶体管中，MOSFET和IGBT属于全控分立器件。